[发明专利]孔层辅助图案生成方法及校正函数生成方法有效
申请号: | 201711404374.X | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN107942614B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 时雪龙 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种孔层辅助图案生成方法及校正函数生成方法。校正函数生成方法包括:S110:将测试光刻目标图案与内核组的第一成像内核进行卷积运算生成干涉图;S120:将测试光刻目标图案的边缘划分为多个片段,在每个片段中取一点作为相邻环境探测点;S130:计算每个片段的相邻环境探测点的成像信号值集合;S140:判断从干涉图提取的辅助图案与从测试光刻目标图案相应的连续色调掩模图上提取的辅助图案的误差是否小于预定阈值,若不小于则调整各片段的光传输率,并重复S110至S140;若小于则执行S150;S150:根据各片段的光传输率以及各片段的成像信号值集合获取光传输率与成像信号值集合之间的关系函数以作为校正函数。本发明提供的方法改进辅助图案的生成。 | ||
搜索关键词: | 辅助 图案 生成 方法 校正 函数 | ||
【主权项】:
一种孔层辅助图案校正函数生成方法,其特征在于,包括:S110:将测试光刻目标图案与内核组的第一成像内核进行卷积运算生成干涉图;S120:将所述测试光刻目标图案的边缘划分为多个片段,在每个片段中取一点作为相邻环境探测点;S130:计算每个片段的相邻环境探测点的成像信号值集合{S1,S2,S3,…Sn},n为正整数;S140:判断从所述干涉图提取的辅助图案与从所述测试光刻目标图案相应的连续色调掩模图上提取的辅助图案的误差是否小于预定阈值,若不小于则调整各片段的光传输率以更新所述内核组,重复步骤S110至步骤S140;若小于则执行步骤S150;S150:根据各片段的光传输率以及各片段的相邻环境探测点的成像信号值集合{S1,S2,S3,…Sn}获取光传输率与成像信号值集合之间的关系函数以作为校正函数。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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