[发明专利]大容量存储器电路的3D封装结构在审
申请号: | 201711404578.3 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108155158A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 赵鹤然 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 许宗富;周秀梅 |
地址: | 110032 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种大容量存储器电路的3D封装结构,属于电子产品封装技术领域。该封装结构包括储存器芯片、胶粘剂、键合丝、基板和外壳;所述储存器芯片为多个,采用垂直错层堆叠方式形成3D芯片组,各储存器芯片之间采用胶粘剂粘接;所述3D芯片组采用胶粘剂粘接在基板上,基板采用胶粘剂固定在外壳上;所述3D芯片组与基板之间、3D芯片组与外壳之间、储存器芯片与储存器芯片之间均采用键合丝完成电连接。本申请芯片之间采用垂直错层堆叠方式,不但提高了储存容量,还可以满足国内尖端行业对储存器产品的高可靠性需求。 | ||
搜索关键词: | 储存器芯片 芯片组 基板 大容量存储器 胶粘剂粘接 胶粘剂 错层堆叠 键合丝 电路 垂直 电子产品封装 高可靠性需求 储存容量 封装结构 储存器 电连接 芯片 申请 | ||
【主权项】:
一种大容量存储器电路的3D封装结构,其特征在于:该封装结构包括储存器芯片、胶粘剂、键合丝、基板和外壳;所述储存器芯片为多个,采用垂直错层堆叠方式形成3D芯片组,各储存器芯片之间采用胶粘剂粘接;所述3D芯片组采用胶粘剂粘接在基板上,基板采用胶粘剂固定在外壳上;所述3D芯片组与基板之间、3D芯片组与外壳之间、储存器芯片与储存器芯片之间均采用键合丝完成电连接。
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