[发明专利]半导体装置的评价装置及使用了该评价装置的半导体装置的评价方法有效
申请号: | 201711405607.8 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108231618B | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 冈田章;野口贵也 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的在于,提供一种半导体装置的评价装置,该半导体装置的评价装置在半导体装置的电气特性的评价时,抑制在作为被测定物的半导体装置的一部分区域产生的放电现象,且抑制异物或绝缘物的接触痕迹向该半导体装置的表面转印。本发明涉及的半导体装置的评价装置具有:工作台,其能够在主面对半导体装置进行支撑;多个探针,其设置于工作台的主面的上方;绝缘物,其具有框形状,框形状包围多个探针,且绝缘物设置于工作台的主面的上方;以及评价部,其与多个探针和工作台的主面连接,经由多个探针将电流注入至支撑于工作台主面的半导体装置,对半导体装置的电气特性进行评价。该绝缘物包含与工作台的主面相面对且具有柔性的前端部。另外,该前端部在前端部的一个侧面包含接触面,该接触面能够通过前端部向框形状的内侧或外侧变形而与半导体装置接触。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 评价 使用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的评价装置,其具有:工作台,其能够在主面对半导体装置进行支撑;多个探针,其设置于所述工作台的所述主面的上方;绝缘物,其具有框形状,所述框形状包围所述多个探针,且该绝缘物设置于所述工作台的所述主面的上方;以及评价部,其与所述多个探针和所述工作台的所述主面连接,经由所述多个探针将电流注入至支撑于所述工作台的所述主面的所述半导体装置,对所述半导体装置的电气特性进行评价,所述绝缘物包含与所述工作台的所述主面相面对且具有柔性的前端部,所述前端部在所述前端部的一个侧面包含接触面,该接触面能够通过所述前端部向所述框形状的内侧或外侧变形而与所述半导体装置接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711405607.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:缺陷分析
- 下一篇:用于功率半导体芯片的检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造