[发明专利]一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201711405851.4 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108198892A | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 王金晓;左华平;王虎;高恒蛟;李坤 | 申请(专利权)人: | 兰州空间技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/18;C23C14/02;C23C14/20;C23C14/35 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 杨志兵;仇蕾安 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明涉及一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,属于表面工程技术领域。本发明主要是利用离子束硒化磁控溅射一步法实现在较低温度下生成平整、致密、均匀的高质量CIGS吸收层,降低了CIGS吸收层制备温度,并且简化了CIGS吸收层制备工艺;而且在生长CIGS吸收层前,先制备氟化钾预置层,实现对CIGS吸收层进行钾掺杂,有利于改善CIGS吸收层的电学性能,本发明所述方法实现了高转换效率的柔性CIGS太阳能电池的制备。 | ||
搜索关键词: | 吸收层 制备 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 表面工程技术 致密 高转换效率 磁控溅射 电学性能 制备工艺 氟化钾 钾掺杂 离子束 一步法 预置层 硒化 平整 生长 | ||
【主权项】:
1.一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述方法步骤如下:(1)先在基底上制备背电极,再将沉积背电极后的基底置于压强不大于2×10‑3Pa的真空室中,以KaF为蒸发源进行蒸发,在背电极上形成KaF预置层;(2)以CuGa合金靶和In靶为磁控溅射靶、以CuGa合金靶和CuIn合金靶为磁控溅射靶或者以CuInGa合金靶为磁控溅射靶,在沉积KaF预置层后的基底上进行磁控溅射,同时利用离子源产生的Se离子束进行硒化反应,在KaF预置层上形成CIGS中间层;(3)在沉积CIGS中间层后的基底上,依次沉积缓冲层、透明窗口层以及上电极,即得到掺钾柔性CIGS薄膜太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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