[发明专利]基于SiO2微球运动信息分析其表面电荷密度的方法有效
| 申请号： | 201711406291.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108254632B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张鲁凝;曾永霞 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G01R29/24 | 分类号： | G01R29/24 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 sio2 运动 信息 分析 表面 电荷 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SiO2微球运动信息分析其表面电荷密度的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将SiO2微球溶液放置于样品测试装置内，用光镊系统捕获单个SiO2微球的位置变化；(2)通过四象限检测器将SiO2微球的位置变化转化为电信号，通过信号采集卡采集电信号；(3)再通过对SiO2微球运动信息的电信号进行数据处理，得到SiO2微球的阻力系数，进而分析其表面电荷密度。
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