[发明专利]微色谱柱及微热导检测器的集成芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 201711406527.4 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN109959747A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 冯飞;田博文;李昕欣 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01N30/60 分类号: G01N30/60;G01N30/66
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种微色谱柱及微热导检测器的集成芯片及制备方法,包括:双抛硅片,具有第二面及相对的第一面;图形化堆叠结构,包含交叉网状结构,其下方具有释放槽,图形化堆叠结构悬挂于释放槽中;盖基片,键合于第一面,盖基片具有微沟槽,图形化堆叠结构位于微沟槽内;微色谱柱的微沟道,形成于第二面中,微沟道内具有微柱阵列,微沟道与释放槽连通;底基片,键合于第二面,以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本发明的微热导检测器和微色谱柱分别位于双抛硅片的第一面和第二面上,增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本发明无需额外的连接部件,具有死体积低、灵敏度高等优点。
搜索关键词: 色谱柱 释放槽 微沟道 检测器 堆叠结构 第二面 图形化 微沟槽 微热 集成芯片 硅片 键合 制备 工艺制作 连接部件 网状结构 微柱阵列 可控性 灵敏度 微通道 连通 悬挂
【主权项】:
1.一种微色谱柱及微热导检测器的集成芯片,其特征在于:包括:双抛硅片,包含第一面以及相对的第二面;包含硅支撑层‑第一介质薄膜‑热敏电阻‑第二介质薄膜的图形化堆叠结构,所述图形化堆叠结构包含交叉网状结构,所述图形化堆叠结构的硅支撑层下方的所述双抛硅片被去除形成的释放槽,所述图形化堆叠结构悬挂于所述释放槽中;盖基片,键合于所述双抛硅片的第一面,所述盖基片具有微沟槽,所述图形化堆叠结构位于所述微沟槽内;微色谱柱的微沟道,形成于所述双抛硅片的第二面中,所述微沟道内具有微柱阵列,所述微沟道与所述释放槽连通;以及底基片,键合于所述双抛硅片的第二面,以形成包含所述微沟槽、所述释放槽及所述微沟道的微通道。
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