[发明专利]一种抗辐照多栅器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711406569.8 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108155241B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 武唯康;杜克明;王明;刘长龙;魏恒;郝亚男;许仕龙 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照多栅器件及其制备方法，属于集成电路辐射效应技术领域。本发明多栅器件包括衬底、源区、漏区和场区隔离介质层，源区和漏区之间通过鳍型结构连接，鳍型结构和场区隔离介质层上覆盖有栅介质层，栅介质层上覆盖有栅电极，源区和/或漏区中还设有被源区和/或漏区分别包裹的绝缘介质夹层。本发明可以提高器件抗单粒子辐照的能力，具有优越的抗辐照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗辐照多栅器件，包括衬底（1）以及位于衬底上的源区（5）、漏区（6）和场区隔离介质层（9），所述源区和漏区之间通过鳍型结构（7）连接，鳍型结构和场区隔离介质层上覆盖有栅介质层（10），栅介质层（10）上覆盖有栅电极（11）；其特征在于，所述源区（5）和/或漏区（6）中还设有被源区（5）和/或漏区（6）分别包裹的绝缘介质夹层（4）。
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