[发明专利]影像传感器芯片、影像传感器芯片的制备方法、影像传感器以及生物活体影像监控系统在审
申请号: | 201711406790.3 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN107946334A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 林刘毓;刘健群;刘浩哲;程子桓;吴振兴;翁良志;黃乾燿;丘立安;吴绍懋;戴体贤 | 申请(专利权)人: | 成都先锋材料有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人: | 郭新娟 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种影像传感器芯片、影像传感器芯片的制备方法、影像传感器以及生物活体影像监控系统。影像传感器芯片,包括芯片层和像敏单元阵列,像敏单元阵列形成于芯片层上且与芯片层电性连接,每个像敏单元包括钼电极,形成于芯片层顶面的绝缘材料层上;p型铜铟镓硒层,形成于钼电极上;缓冲层,形成于铜铟镓硒层上;本征氧化锌i‑ZnO层,形成于缓冲层上;导电透明层,形成于i‑ZnO层上;以及微透镜,形成于导电透明层上;其中,钼电极通过钨通孔与芯片层电性连接。影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统,能够在近红外光环境下取影像。可以应用在侦测皮肤底层血管。 | ||
搜索关键词: | 影像 传感器 芯片 制备 方法 以及 生物 活体 监控 系统 | ||
【主权项】:
一种影像传感器芯片,包括芯片层和像敏单元阵列,所述像敏单元阵列形成于所述芯片层上且与所述芯片层电性连接,其特征在于,每个所述像敏单元包括:钼电极,形成于芯片层顶面的绝缘材料层上;p型铜铟镓硒层,形成于所述钼电极上;缓冲层,形成于所述铜铟镓硒层上;本征氧化锌i‑ZnO层,形成于所述缓冲层上;导电透明层,形成于所述i‑ZnO层上;以及微透镜,形成于所述导电透明层上;其中,所述钼电极通过钨通孔与所述芯片层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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