[发明专利]影像传感器芯片、影像传感器芯片的制备方法、影像传感器以及生物活体影像监控系统在审

专利信息
申请号: 201711406790.3 申请日: 2017-12-22
公开(公告)号: CN107946334A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 林刘毓;刘健群;刘浩哲;程子桓;吴振兴;翁良志;黃乾燿;丘立安;吴绍懋;戴体贤 申请(专利权)人: 成都先锋材料有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 郭新娟
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种影像传感器芯片、影像传感器芯片的制备方法、影像传感器以及生物活体影像监控系统。影像传感器芯片,包括芯片层和像敏单元阵列,像敏单元阵列形成于芯片层上且与芯片层电性连接,每个像敏单元包括钼电极,形成于芯片层顶面的绝缘材料层上;p型铜铟镓硒层,形成于钼电极上;缓冲层,形成于铜铟镓硒层上;本征氧化锌i‑ZnO层,形成于缓冲层上;导电透明层,形成于i‑ZnO层上;以及微透镜,形成于导电透明层上;其中,钼电极通过钨通孔与芯片层电性连接。影像传感器芯片、影像传感器以及生物活体影像监控系统,能够在近红外光环境下取影像。可以应用在侦测皮肤底层血管。
搜索关键词: 影像 传感器 芯片 制备 方法 以及 生物 活体 监控 系统
【主权项】:
一种影像传感器芯片,包括芯片层和像敏单元阵列,所述像敏单元阵列形成于所述芯片层上且与所述芯片层电性连接,其特征在于,每个所述像敏单元包括:钼电极,形成于芯片层顶面的绝缘材料层上;p型铜铟镓硒层,形成于所述钼电极上;缓冲层,形成于所述铜铟镓硒层上;本征氧化锌i‑ZnO层,形成于所述缓冲层上;导电透明层,形成于所述i‑ZnO层上;以及微透镜,形成于所述导电透明层上;其中,所述钼电极通过钨通孔与所述芯片层电性连接。
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