[发明专利]大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法

摘要

本发明公布了一种大晶粒钙钛矿薄膜光电材料的制备方法，包括前驱体溶液的制备和基底的制备，以及将制备好的前驱体溶液喷涂到基底上，获得大晶粒钙钛矿薄膜等过程。前驱体溶液通过将钙钛矿原材料AXn和BX3‑n按比例混合或者直接将钙钛矿材料ABX3溶解在NMP溶剂或NMP混合溶剂中获得。前驱体溶液喷涂到100～150℃的热基底上并保温至大晶粒钙钛矿薄膜生长，钙钛矿晶粒呈良好的取向排列。在大晶粒钙钛矿薄膜上制备空穴传输层或者电子传输层，获得大晶粒钙钛矿薄膜光电材料。本发明通过选择合适的溶剂及生长温度，获得晶粒尺寸达mm级的钙钛矿薄膜，提高了载流子迁移率，使得相应的钙钛矿薄膜光电材料具有更好的光电性能。