[发明专利]防止Al腐的处理方法有效
| 申请号： | 201711408137.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108400090B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 卢朋;祝汉泉;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种防止Al腐的处理方法，包括如下步骤：对Cl |
||
| 搜索关键词： | 防止 al 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止Al腐的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：在真空腔室内，对Cl2和BCl3的混合气体进行第一次电离操作，形成第一等离子体，采用所述第一等离子体对源漏极进行干法刻蚀操作；在真空腔室内，对碳氟气体进行第二次电离操作，形成第二等离子体，采用所述二等离子体对经过干法刻蚀操作的源漏极进行修复操作；将经过修复操作的源漏极进行脱模操作；将经过脱模操作的源漏极进行热烘操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利（惠州）智能显示有限公司，未经信利（惠州）智能显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711408137.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种激光退火方法
- 下一篇：SONOS存储器的ONO栅极结构的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
