[发明专利]双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711410854.7 申请日: 2017-12-23
公开(公告)号: CN108046768B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 孙丽娜;赵木森;谭俊;董再蒸;赵晏锋 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/622
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 韩国胜
地址: 110169 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷的制备方法。该闪烁陶瓷的化学组成通式为:(PrxCeyGd1‑x‑yAl)3Ga2O12,0.001≤x≤0.005,0.001≤y≤0.007;其制备方法为:按照化学计量比,将Gd2O3、Ga、Al(NO3)3·9H2O、Pr(NO3)3·6H2O以及Ce(NO3)3·6H2O的粉体原料称量混合,加至酸溶液中溶解,制得金属盐溶液;将沉淀剂滴加进金属盐溶液中,使金属离子完全沉淀析出,经离心、真空抽滤、过滤和干燥,获得闪烁陶瓷前驱体;加入助熔剂,经煅烧制得陶瓷粉体;加入助剂,经干压成型和等静压成型,获得陶瓷素坯;高温烧结,得到具有石榴石结构的闪烁陶瓷;经退火制得Pr3+和Ce3+共掺杂的钆镓铝闪烁陶瓷。本发明双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷具有高光输出快衰减的性能。
搜索关键词: 掺杂 稀土 离子 钆镓铝 闪烁 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种双掺杂稀土离子的钆镓铝闪烁陶瓷,其特征在于:所述钆镓铝闪烁陶瓷的化学组成通式为:(PrxCeyGd1-x-yAl)3Ga2O12,其中,0.001≤x≤0.005,0.001≤y≤0.007。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711410854.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top