[发明专利]芯片二极管以及双向齐纳二极管芯片有效
申请号: | 201711414924.6 | 申请日: | 2012-10-16 |
公开(公告)号: | CN107946270B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 山本浩贵 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/522;H01L23/544;H01L27/06;H01L27/07;H01L27/102;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/866;H01L29/872 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种芯片二极管以及双向齐纳二极管芯片,即使对与外部电连接用的焊盘施加较大的应力,也能够防止形成在半导体层的pn结的破坏,或者抑制特性变动。芯片二极管(15)包括:外延层(21),其形成了构成二极管元件(29)的pn结(28);阳极电极(34),其沿外延层(21)的表面(22)而配置,与作为pn结(28)的p侧极的二极管杂质区域(23)电连接,并且具有与外部电连接用的焊盘(37);和阴极电极(41),其与作为pn结(28)的n侧极的外延层(21)电连接,在芯片二极管(15)中,将焊盘(37)设置在离开了pn结(28)的正上方位置的位置。 | ||
搜索关键词: | 芯片 二极管 以及 双向 齐纳二极管 | ||
【主权项】:
一种芯片二极管,包括:多个二极管单元,形成于半导体基板;并联连接部,其设于所述半导体基板上,并联连接所述多个二极管单元。
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