[发明专利]一种离子注入式氮掺杂氮化碳薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711415268.1 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108103438A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/48 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种离子注入式氮掺杂氮化碳薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、取单晶硅作为衬底，清洗衬底，去除衬底表面污垢；S2、将清洗后的衬底放入离子注入机的磁控溅射腔，采用碳靶，氮气作为离子源，氩气作为溅射气体，通过离子注入机制备得到所述氮掺杂氮化碳薄膜；整个制备过程中只有碳靶进行起辉镀膜，工艺过程简单，质量容易控制；通过离子注入机，有效提高了氮的离子化，并使氮较容易掺入到薄膜中，提高氮化碳薄膜的晶体化；氮的离子化掺入解决了氮在薄膜中不易掺入的缺陷，同时也能够提升氮在薄膜中的掺杂量，使薄膜中的氮以化合物的形成存在，使薄膜中的氮不易流失。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化碳薄膜 薄膜 氮掺杂 掺入 衬底 离子 离子注入机 离子化 注入式 碳靶 制备 清洗 氮气 单晶硅 衬底表面 磁控溅射 工艺过程 溅射气体 制备过程 氩气 掺杂量 晶体化 离子源 污垢 镀膜 放入 起辉 去除 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入式氮掺杂氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取单晶硅作为衬底，清洗衬底，去除衬底表面污垢；S2、将清洗后的衬底放入离子注入机的磁控溅射腔，采用碳靶，氮气作为离子源，氩气作为溅射气体，通过离子注入机制备得到所述氮掺杂氮化碳薄膜。
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