[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201711415532.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108122964B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陆江;刘海南;蔡小五;卜建辉;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种绝缘栅双极晶体管，涉及半导体器件领域，包括：N+发射极，Pwell区域，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区；载流子存储层；P注入层；无圆胞区域，所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏置结构，其中，局部栅极变窄偏置结构包括：第一栅极，所述第一栅极在底部形成横向增宽的结构，且增宽方向朝向第二栅极；第二栅极，所述第二栅极在底部形成横向增宽的结构，且所述增宽方向朝向所述第一栅极。解决了现有技术中的绝缘栅双极晶体管载流子存储层技术浓度提高后，导致绝缘栅双极晶体管耐压降低的技术问题，达到了在大幅度降低导通压降同时，能够维持原有的耐压能力，从而全面提升器件的各项参数能力的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：N+发射极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+发射极的下方，其中所述Pwell区域中设置有第一槽栅和第二槽栅；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；载流子存储层，所述载流子存储层位于所述Pwell区域的下方，且，所述载流子存储层设置在所述第一槽栅和所述第二槽栅之间；P注入层，所述P注入层位于所述第一槽栅和所述第二槽栅的下方，其中，所述晶体管还包括：无圆胞区域，所述无圆胞区域中设置有局部栅极变窄偏置结构，其中，局部栅极变窄偏置结构包括：第一栅极，所述第一栅极在底部形成横向增宽的结构，且增宽方向朝向第二栅极；第二栅极，所述第二栅极在底部形成横向增宽的结构，且所述增宽方向朝向所述第一栅极。
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