[发明专利]激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法

摘要

本发明涉及一种激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，包括依次进行的预处理步骤、等离子体处理步骤、酸刻蚀步骤，抛光处理步骤。本发明方法避免了传统机械车、磨、抛加工过程，可能引入的加工缺陷及表面/亚表面损伤，显著改善倍半氧化物激光晶体的加工效率。可快速获得超光滑、低/无损伤、高精度的激光晶体表面。 1

主权项

1.一种激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：包括依次进行的预处理步骤、等离子体处理步骤、酸刻蚀步骤，抛光处理步骤。

2.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的预处理步骤包括依次进行的粗磨、精磨、机械抛光处理。

3.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的等离子体处理步骤是采用等离子体气体H₂+反应气体He，在大气环境下，使用介质阻挡放电激发产生的含氢等离子体，H₂与He的体积比1:100～1:500；或采用气体He通入水后出来的反应气体，水与He的体积比为1:49～1:500。

4.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的酸刻蚀步骤是在等离子体处理后的晶体表面喷涂强酸气体，生成反应物为溶于水的盐，反应后先换气将处理气体排净，再在晶体表面喷水去除溶于水的盐。

5.根据权利要求4所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的强酸气体为HF或HCl或HNO₃或HBr。

6.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：在酸刻蚀步骤后依次用去离子水、碱液、去离子水清洗至晶体表面为中性。

7.根据权利要求6所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，其特征在于：所述的碱液为1％的碳酸氢钠溶液。

8.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法：其特征在于：所述的抛光处理方式采用机械抛光或磁流变抛光或CMP抛光。

9.根据权利要求1所述的激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法：其特征在于：所述的机械抛光处理的步骤为：先使用W0.3～1金刚石抛光膏抛光5～10min，再使用W0.05～0.1的二氧化铈抛光膏抛光30～60min。

10.一种权利要求1所述的方法在脆性材料加工中的应用。