[发明专利]一种基于低温共烧陶瓷的爆炸箔集成芯片及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种基于低温共烧陶瓷的爆炸箔集成芯片及其制备工艺。爆炸箔集成芯片包括：陶瓷基片、金属层、飞片层、加速膛、装药槽和炸药柱，还包括陶瓷基片中的金属过孔、浆料，以及背部的焊盘区和Pd/Ag层等便于与其他部分连接的结构。陶瓷基片在集成芯片中作为反射背板；金属层包括桥区、过渡区和导带三部分；飞片层包括由生瓷带一体化烧结而成的陶瓷飞片、Parylene C/W‑Ti/Cu复合飞片；加速膛的作用是为飞片提供加速的空间；装药槽为炸药柱的放置提供了精确的定位。与现有技术相比，本发明的优点在于利用低温共烧陶瓷技术使得爆炸箔起爆器的集成化程度更高、体积更小，可以实现批量生产，提高了产品一致性，并且大大降低了成本。

主权项

1.一种基于低温共烧陶瓷的爆炸箔集成芯片，其特征在于：所述爆炸箔集成芯片结构包括陶瓷基片(1)、金属层(2)、飞片层(3)、陶瓷加速膛(4)、装药槽(5)和炸药柱(6)，此外还包括陶瓷基片(1)中的金属过孔(7‑a)、浆料(7‑b)，以及背部的焊盘区(8)和Pd/Ag层(9)等便于与其他部分连接的结构；所述陶瓷基片(1)作反射背板，电爆炸所产生的等离子体向上运动剪切飞片(3)；所述金属层(2)烧结在陶瓷基片(1)之上，包括桥区(2‑a)、过渡区(2‑b)和导带(2‑c)三个部分，桥区(2‑a)即为爆炸箔；过渡区(2‑b)指桥区(2‑a)和导带(2‑c)之间由宽变窄的区域；所述陶瓷加速膛(4)为飞片层(3)提供加速的空间；所述装药槽(5)为炸药柱(6)放置提供了精确的定位。