[发明专利]一种碳包覆超薄暴露(010)晶面单晶二氧化钛纳米带及其制备方法在审
| 申请号： | 201711418910.1 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN107973342A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 赵才贤;陈烽;兰富军;李靖娥;罗和安 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;C01B32/15;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B3/04 |
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| 地址： | 41110*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳包覆超薄暴露(010)晶面单晶二氧化钛纳米带及其制备方法，其特征在于，二氧化钛纳米带的厚度为2～5nm，宽度为10～20nm，晶型为单晶锐钛矿，暴露(010)晶面；碳包覆层为石墨化碳层，厚度约为1‑5nm。其制备过程包括a)将P25、强碱溶液及(或)小分子配体进行水热反应。反应结束后，用含小分子配体的酸溶液酸化、去离子水洗涤，制得超薄钛酸纳米带；b)在惰性气体下，将超薄钛酸纳米带进行热处理，即制得碳包覆超薄暴露(010)晶面单晶TiO2纳米带。本发明的制备方法具有制备工艺简单、生产成本低等优势。采用本发明方法制备碳改性TiO2纳米带具有优异的光催化活性，可广泛应用于光解水制氢、降解污染物等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆 超薄 暴露 010 晶面单晶二 氧化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳包覆超薄暴露(010)晶面单晶二氧化钛纳米带，其特征在于：该纳米带的厚度为2～5nm，宽度为10～20nm，暴露(010)晶面；碳包覆层的厚度为1～5nm。
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