[发明专利]一种宽带隙有机半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种宽带隙有机半导体材料及其制备方法和应用，该材料结构式如式I，其中，R1、R2和R3为氢或具有1‑30个碳原子的烷基，或者是具有1‑30个碳原子的烷基中一个或多个碳原子被卤素原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团；π单元为苯、萘、噻吩、并噻吩、硒吩、碲吩、呋喃、吡咯、吡啶、噻咯、噻唑、恶唑、三唑及它们的衍生物中的一种；n为半导体材料的聚合度，n为1到10000的自然数。该材料在有机太阳电池中表现出优异的器件性能，具有宽的带隙，较深的HOMO能级，能与非富勒烯受体很好的匹配，材料应用于制备有机太阳电池的活性层，在非富勒烯太阳电池器件中获得了较高的能量转换效率。

主权项

1.一种宽带隙有机半导体材料，其特征在于，所述材料结构式如下：其中，R1、R2和R3为氢或具有1-30个碳原子的烷基，或者是所述具有1-30个碳原子的烷基中一个或多个碳原子被卤素原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代形成的基团；π单元为苯、萘、噻吩、并噻吩、硒吩、碲吩、呋喃、吡咯、吡啶、噻咯、噻唑、恶唑、三唑及它们的衍生物中的任意一种；n为所述聚合物半导体材料的聚合度，n为1到10000的自然数。