[发明专利]提高碳化硅热解石墨烯薄层数均匀性的方法在审
| 申请号： | 201711420154.6 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108046247A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 赵志飞;李赟;王翼;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高碳化硅热解石墨烯薄层数均匀性的方法，包括1）将碳化硅衬底置于CVD设备内的基座上；2）设置反应室压力，保护气体流量，系统升温至热解温度；3）保持压力和保护气体流量不变，热解制备石墨烯薄膜；4）采用线性缓变的方式缓慢降温，降温速率；降温同时采用线性缓变的方式通入线性减少的碳源辅助退火；5）关闭射频源，降温至室温，而后保护气体充填反应室至大气压，取出碳化硅热解石墨烯外延片。优点：1）减少温度骤降导致的衬底边缘与中心区域的温度偏差，提高了台阶台面和边缘解离的一致性；2）提高了退火过程中的碳原子重构的一致性，有助于制备层数一致的石墨烯薄膜。3）简单易行，具有较高的推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 碳化硅 石墨 薄层 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.提高碳化硅热解石墨烯薄层数均匀性的方法，其特征是包括下述步骤：1）将洗净的碳化硅衬底置于化学气相沉积（CVD）设备内的基座上；2）设置反应室压力为30-120 mbar，保护气体流量为10-50L/min，系统升温至热解温度1550-1650℃；3）温度达到热解温度后，保持压力和保护气体流量不变，热解30-60min制备石墨烯薄膜；4）完成热解石墨烯薄膜后，保持反应室压力和保护气体流量不变，采用线性缓变的方式缓慢降温至1400-1450℃；降温同时采用线性缓变的方式通入线性减少的碳源辅助退火；5）温度达到1400-1450℃后，保持反应室压力和保护气体流量不变，关闭射频源，降温至室温，保护气体充填反应室至大气压后，取出碳化硅热解石墨烯外延片。
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