[发明专利]检测金属层表面的颗粒的方法有效
| 申请号： | 201711421583.5 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108109934B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王宇;王晟;龙俊舟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备与检测领域，特别涉及一种检测金属层表面的颗粒的方法。在基片(所述基片的表层是非金属层)表面形成一金属层，然后以金属层表面的难以干法去除的颗粒为掩模，在垂直于基片的方向对金属层进行刻蚀，使得基片上留下金属层表面的颗粒，接着利用光学颗粒检测装置对基片作颗粒检测，从而得到金属层表面的颗粒的信息。进一步的，利用本发明提供的检测金属层表面的颗粒的方法，由于金属层表面的颗粒在进行颗粒检测时，全部露出在基底表面，因而所获得的颗粒的尺寸信息更为准确。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 金属 表面 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测金属层表面的颗粒的方法，其特征在于，包括：提供一基片，所述基片的表层是非金属材料层；在所述基片表面形成一金属层，所述金属层至少部分覆盖所述非金属材料层，所述金属层的反射率大于所述非金属材料层的反射率，所述金属层上形成有若干颗粒；对所述基片进行各向异性干法刻蚀，去除所述颗粒所在区域以外的金属层；以及，采用光学颗粒检测装置对所述基片进行颗粒检测，得到所述颗粒的信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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