[发明专利]一种分阶段实时调控SiC晶体生长界面温度和温度梯度的方法在审
| 申请号： | 201711421747.4 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108130594A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 高攀;忻隽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分阶段实时调控SiC晶体生长界面温度和温度梯度的方法，采用物理气相传输方法在装有晶体生长原料和籽晶的坩埚内生长碳化硅单晶，晶体生长过程中分阶段上移坩埚位置，在第一生长阶段，生长时长为t1，保持坩埚位置不变，在第i生长阶段，生长时长ti=i×t1，且坩埚平均上移速率Vi＜前一生长阶段坩埚平均上移速率Vi‑1。 | ||
| 搜索关键词： | 生长阶段 分阶段 上移 坩埚 晶体生长界面 实时调控 温度梯度 坩埚位置 时长 生长 晶体生长过程 晶体生长原料 物理气相传输 碳化硅单晶 籽晶 | ||
【主权项】：
一种分阶段实时调控碳化硅晶体生长过程中生长界面温度和温度梯度的方法，其特征在于，采用物理气相传输方法在装有晶体生长原料和籽晶的坩埚内生长碳化硅单晶，晶体生长过程中分阶段上移坩埚位置，在第一生长阶段，生长时长为t1，保持坩埚位置不变，在第i生长阶段，生长时长ti=i×t1，且坩埚平均上移速率Vi＜前一生长阶段坩埚平均上移速率Vi‑1。
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