[发明专利]一种NPC三电平无损软关断电路在审

专利信息
申请号: 201711422295.1 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN107947612A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 马文长 申请(专利权)人: 成都麦隆电气有限公司
主分类号: H02M7/483 分类号: H02M7/483
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 代理人: 徐金琼,刘东
地址: 610500 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开一种NPC三电平无损软关断电路,涉及NPC三电平电路技术领域,其中,IGBT管Q1的集电极和发射极分别连接二极管D1的阴极和阳极,IGBT管Q1的发射极还连接二极管D7的阳极和电容C5的正极,二极管D7的阴极连接电容C4的负极,电容C4的正极连接二极管D1的阴极和IGBT管Q1的集电极,电容C5的负极连接储能电感L2的一端和二极管D9的阴极,储能电感L2的另一端连接二极管D8的阳极,二极管D8的阴极连接二极管D7的阳极和电容C4的负极,二极管D9分别连接电容C1和0V中点,电容C1的另一端和IGBT管Q1的集电极连接正母线。本发明解决了现有的NPC三电平电路中的RC吸收电路无法减小IGBT的关断损耗,且采用RC吸收的NPC三电平电路不宜多管并联的问题。
搜索关键词: 一种 npc 电平 无损 断电
【主权项】:
一种NPC三电平无损软关断电路,包括IGBT管Q1、IGBT管Q2、IGBT管Q3和IGBT管Q4,IGBT管Q1和IGBT管Q4为外管,IGBT管Q2和IGBT管Q3为内管,IGBT管Q1的发射极连接IGBT管Q2的集电极,IGBT管Q2的发射极连接IGBT管Q3的集电极,IGBT管Q3的发射极连接IGBT管Q4的集电极;内管IGBT管Q2与外管IGBT管Q4互补,内管IGBT管Q3与外管IGBT管Q1互补,其特征在于,IGBT管Q1的集电极和发射极分别连接二极管D1的阴极和阳极,IGBT管Q1的发射极还连接二极管D7的阴极和电容C5的正极,二极管D7的阴极连接电容C4的负极,电容C4的正极连接二极管D1的阴极和IGBT管Q1的集电极,电容C5的负极连接储能电感L2的一端和二极管D9的阴极,储能电感L2的另一端连接二极管D8的阳极,二极管D8的阴极连接二极管D7的阳极和电容C4的负极,二极管D9分别连接电容C1和0V中点,电容C1的另一端和IGBT管Q1的集电极连接正母线;IGBT管Q4的集电极和发射极分别连接二极管D4的阴极和阳极,IGBT管Q4的集电极还连接二极管D10的阳极,二极管D10的阴极连接电容C6的正极,电容C6的负极还连接二极管D4的阳极和IGBT管Q1的发射极,二极管D11的阳极连接二极管D10的阴极和电容C6的正极,二极管D11的阴极连接储能电感L3的一端,储能电感L3的另一端连接电容C7的正极和二极管D2的阳极,电容C7的负极连接IGBT管Q4的集电极,二极管D12的阴极连接电容C2的一端和0V中点,电容C2的另一端与IGBT管Q4的集电极共同连接负母线。
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