[发明专利]一种降低锑化铟单晶位错的方法在审
| 申请号： | 201711424693.7 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108166061A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李忠良;刘世能;杨文运;李增寿;何雯瑾;李秋妍;冯江敏;余黎静;太云见;赵鹏;黄晖 | 申请（专利权）人： | 云南北方昆物光电科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;仇蕾安 |
| 地址： | 650223 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低锑化铟单晶位错的方法，属于光电材料技术领域。本发明所述方法是对采用Czochralski法制备的锑化铟单晶进行原位退火处理，从而降低锑化铟单晶位错。相对于在锑化铟单晶生长过程中通过调控温度以降低位错密度的方法，本发明所述的技术方案操作简单，而且退火处理过程的条件更容易调控，能够显著降低锑化铟单晶的位错密度，使直径约为50mm的大尺寸锑化铟晶体的位错密度能够低于50个/cm2，从而能够制备得到性能优异的大尺寸锑化铟单晶。 1 | ||
| 搜索关键词： | 锑化铟单晶 位错 光电材料 生长过程 退火处理 原位退火 晶体的 锑化铟 低位 调控 制备 | ||
【主权项】：
1.一种降低锑化铟单晶位错的方法，其特征在于：所述方法步骤如下，
(1)采用Czochralski法制备锑化铟单晶；
(2)锑化铟单晶拉晶结束后，将锑化铟单晶表面的温度控制在350℃～450℃，并保温20h以上；
(3)保温结束后，继续降温至室温，并在室温下放置24h以上再取出，得到低位错锑化铟单晶。
2.根据权利要求1所述的一种降低锑化铟单晶位错的方法，其特征在于：步骤(2)中，在350℃～450℃下保温20h～40h。3.根据权利要求1所述的一种降低锑化铟单晶位错的方法，其特征在于：步骤(3)中，以15℃/h～25℃/h的降温速率降温至室温。4.根据权利要求1所述的一种降低锑化铟单晶位错的方法，其特征在于：步骤(3)中，在室温下放置24h～50h后再取出。
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