[发明专利]石墨烯铌酸锂多层结构混合集成光学调制器及其制备方法有效
申请号: | 201711425035.X | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN107894669B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 胡晓;肖希;张宇光;陈代高;王磊;冯朋;李淼峰;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02F1/035 |
代理公司: | 42225 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 沈林华 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯铌酸锂多层结构混合集成光学调制器及其制备方法,涉及光学调制器领域。该光学调制器包括双层石墨烯铌酸锂光波导,双层石墨烯铌酸锂光波导包括第一石墨烯层、铌酸锂平板波导、第二石墨烯层、第一高折射率材料层;光输入端和光输出端沿平行于衬底的第一方向分布,第一方向上具有相对设置的两端,一端与光输入端连接,另一端与光输出端连接;在平行于衬底且垂直于第一方向的第二方向上,第一石墨烯层的一端延伸至衬底的边缘,镶嵌有第一电极;第二石墨烯层相对的一端延伸至衬底另一侧的边缘,镶嵌有第二电极。本发明制备的光学调制器调制效率高,响应速率高,工作带宽大,插入损耗小,器件尺寸小。 | ||
搜索关键词: | 石墨 烯铌酸锂 多层 结构 混合 集成 光学 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯铌酸锂多层结构混合集成光学调制器,该光学调制器制作在衬底(10)上,其特征在于:该光学调制器包括双层石墨烯铌酸锂光波导、第一电极(301)、第二电极(302)、光输入端和光输出端,所述双层石墨烯铌酸锂光波导包括从下往上依次排列的第一石墨烯层(201)、铌酸锂平板波导(202)、第二石墨烯层(203)、折射率为2.2~4.2的第一高折射率材料层(204);光输入端和光输出端沿平行于衬底(10)的第一方向(I)分布,第一方向(I)上具有相对设置的两端,其中的一端与光输入端相连接,另一端与光输出端相连接;在平行于衬底(10)且垂直于第一方向(I)的第二方向(II)上,第一石墨烯层(201)的一端延伸至与衬底(10)的边缘平齐,平齐处镶嵌有第一电极(301);第二石墨烯层(203)相对的一端延伸至与衬底(10)另一侧的边缘平齐,平齐处镶嵌有第二电极(302);/n所述双层石墨烯铌酸锂光波导还包括折射率为2.2~4.2的第二高折射率材料层(205),第二高折射率材料层(205)位于衬底(10)与第一石墨烯层(201)之间。/n
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