[发明专利]一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法有效
申请号: | 201711425122.5 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108175407B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李昊庭;付峰;徐灿华;刘学超;曹璐;董秀珍;杨滨;代萌 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军第四军医大学 |
主分类号: | A61B5/053 | 分类号: | A61B5/053 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710032 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法,该方法依据颅脑解剖结构与噪声、干扰的空间分布特点,将测量数据中头皮层与颅骨层的噪声、干扰剔除,二次根据仅包含了脑实质阻抗变化的测量数据来选择局部最优正则化参数。相比原来的方法,该方法不仅可以提高信号的信噪比,同时可以获取更优的正则化参数,提高重建图像质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 颅脑 eit 局部 最优 正则 参数 选取 方法 | ||
【主权项】:
1.一种颅脑EIT局部最优正则化参数选取的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,获取颅脑电阻抗初始重建数据f0,根据f0选取全局最优正则化参数λglobal并重建图像,获得初始重建图像,其中,颅脑电阻抗初始重建数据f0包含脑实质的阻抗变化信息、颅骨的阻抗变化信息与头皮层的阻抗变化信息;步骤2,提取初始重建图像背景区域的阻抗变化ρBGD,初始重建图像背景区域为颅骨与头皮区域;步骤3,计算背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD;步骤4,从颅脑电阻抗初始重建数据f0中去除背景区域的阻抗变化引起的边界电位变化fBGD,获得仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain;步骤5,基于仅包含脑实质区域阻抗变化的数据fbrain选择局部正则化参数λlocal,以局部正则化参数λlocal作为颅脑EIT局部最优正则化参数。
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