[发明专利]碳化硅碳化硼复合材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711425257.1 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108658601A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 李太平 申请(专利权)人: 成都晋阳科技有限公司
主分类号: C04B35/563 分类号: C04B35/563;C04B35/565;C04B35/65
代理公司: 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 代理人: 张鸣洁
地址: 641400 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及无机材料技术领域,具体涉及碳化硅碳化硼复合材料的制备方法,其所需材料为:碳化硼、金属硅、粘结剂、添加剂,本发明的碳化硅碳化硼复合材料的制备方法,采用活性剂包裹碳化硼表面,阻止硅元素侵蚀碳化硼,所制备的复合材料制作工艺简单,所制备的碳化硼复合材料具有强度极高、韧性好、密度低等优点。
搜索关键词: 碳化硼复合材料 制备 碳化硅 碳化硼 无机材料 制作工艺 复合材料 硅元素 活性剂 金属硅 粘结剂 添加剂 侵蚀
【主权项】:
1.碳化硅碳化硼复合材料的制备方法,其特征在于所需材料为:碳化硼、金属硅、粘结剂、添加剂,其制备方法为:1) 混合:将碳化硼粉末中加入占总重量6%至8%的粘结剂、占总重量1%的添加剂、占总重量50%的酒精进行混合;2) 造粒:将粉末状的混合物进行喷雾造粒;3) 压制:将细颗粒状的混合物置入模具中,在30兆帕至80兆帕的压强下压制成硼饼;4) 干燥:将压制成型的硼饼置入干燥室内,进行缓慢升温干燥,干燥温度从室温缓慢升至200摄氏度,升温耗时为24H,升温速度为匀速升温;5) 配硅:取硅含量大于99%的金属硅粉40目至160目与占总重量3%的粘结剂进行混合,将混合均匀的硅粉压制成硅饼;6) 烧结:将硅饼重叠放置在硼饼上,并置入真空炉中进行烧结,烧结温度为1480摄氏度至1600摄氏度,真空度小于等于10pa;7) 冷却:将烧结成型的板材随炉冷却,冷却至常温取出;8) 除硅:将表面残余的硅渣进行喷砂处理。
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