[发明专利]二极管器件及其制造工艺在审
| 申请号： | 201711427668.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962097A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王艳春;刘东庆 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了二极管器件，包括氧化层和掺杂多晶硅区，及顺序设置且电性导通的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属；还提供了二极管器件的制造工艺：在N型轻掺杂区上外延生长出P型掺杂区；自P型掺杂区向内蚀刻至N型轻掺杂区内，形成挖槽区；在P型掺杂区和N型轻掺杂区表面形成氧化层；利用掺杂多晶硅填满覆盖有氧化层的挖槽区；在P型掺杂区上溅射金属形成势垒层，在势垒层上沉积阳极金属；正向通电时，通过P型掺杂区与势垒层的肖特基接触来实现低导通电压；反向通电时，通过P型掺杂区与N型轻掺杂区形成的PN结来实现高反向耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 势垒层 二极管器件 氧化层 掺杂多晶硅 阳极金属 制造工艺 挖槽 蚀刻 肖特基接触 表面形成 导通电压 电性导通 反向耐压 反向通电 金属形成 顺序设置 外延生长 阴极金属 沉积 溅射 填满 向内 正向 通电 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种二极管器件，包括顺序设置的阴极金属、N型重掺杂区、N型轻掺杂区、P型掺杂区、势垒层和阳极金属，所述阴极金属、所述N型重掺杂区、所述N型轻掺杂区、所述P型掺杂区、所述势垒层和所述阳极金属电性导通，其特征在于：还包括氧化层和掺杂多晶硅区，所述N型轻掺杂区和所述P型掺杂区上设有挖槽区，所述挖槽区贯穿所述P型掺杂区并伸入所述N型轻掺杂区，所述氧化层和所述掺杂多晶硅区设于所述挖槽区内，且所述氧化层位于所述N型轻掺杂区与所述掺杂多晶硅区之间及所述P型掺杂区与所述掺杂多晶硅区之间，所述掺杂多晶硅与所述势垒层欧姆接触，所述氧化层与所述势垒层接触，所述P型掺杂区与所述势垒层肖特基接触。
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