[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711427817.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962014B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构的侧壁上形成有侧墙；在侧墙的侧壁上形成阻挡层；至少去除部分高度的侧墙，在阻挡层和栅极结构之间形成凹槽；在凹槽顶部的部分深度内形成第一介质层，第一介质层、阻挡层和栅极结构围成空气侧墙。本发明在侧墙侧壁上形成阻挡层后，至少去除部分高度的侧墙，在阻挡层和所述栅极结构之间形成凹槽，使形成于凹槽顶部部分深度内的第一介质层、阻挡层和栅极结构围成空气侧墙，与侧墙材料相比，空气的介电常数较小，所以空气侧墙的设置能够减小半导体器件的寄生电容，从而加快半导体器件的反应速度、减小功耗和增大驱动电流，进而使半导体结构的电学性能得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构的侧壁上形成有侧墙；在所述侧墙的侧壁上形成阻挡层；至少去除部分高度的侧墙，在所述阻挡层和所述栅极结构之间形成凹槽；在所述凹槽顶部的部分深度内形成第一介质层，所述第一介质层、阻挡层和栅极结构围成空气侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711427817.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种N型电池的共扩散工艺
- 下一篇：用于改善铜线短路的制程工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
