[发明专利]漏电流补偿电路和半导体装置有效
| 申请号： | 201711429578.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108376013B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 椎根雄寿;中村博高 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供漏电流补偿电路和半导体装置，该漏电流补偿电路具有：补偿MOS晶体管，其漏极与源极连接，衬底与接地端子连接，生成与电流输出电路的MOS晶体管的漏电流相等的补偿电流；以及电流镜电路，其输入端子连接于补偿MOS晶体管的漏极和源极连接，输出端子与电流输出电路的MOS晶体管连接，漏电流补偿用的MOS晶体管的面积较小，并且能够对栅极漏电流进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 补偿 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种漏电流补偿电路，其对MOS晶体管的漏电流进行补偿，该MOS晶体管构成将电流源的电流输出到输出端子的输出电路，其特征在于，该漏电流补偿电路具有：补偿MOS晶体管，其漏极与源极连接，衬底与接地端子连接，生成与所述漏电流相等的补偿电流；以及电流镜电路，其输入端子连接于所述补偿MOS晶体管的所述漏极和所述源极，输出端子与构成所述输出电路的MOS晶体管连接。
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