[发明专利]非易失性存储器器件及其编程方法有效
| 申请号： | 201711429791.X | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108364667B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 曹溶成;朴一汉;尹廷允;洪允镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器器件的编程方法，该方法包括以下步骤：第一编程循环，包括将第一验证电压施加到多个第一存储器单元的字线，该多个第一存储器单元用于在第一目标阈值的第一编程状态中被编程，并且从该多个第一存储器单元中检测出阈值电压小于该第一验证电压的第一慢速存储器单元；第二编程循环，包括向该第一存储器单元施加第一编程脉冲，并向第一慢速存储器单元施加第二编程脉冲，第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 器件 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器器件的编程方法，所述方法包括以下步骤：第一编程循环，包括施加第一验证电压到多个第一存储器单元的字线，所述多个第一存储器单元在第一目标阈值电压的第一编程状态中被编程，并且从所述多个第一存储器单元中检测其阈值小于所述第一验证电压的第一慢速存储器；第二编程循环，包括将第一编程脉冲施加到所述第一存储器单元并将第二编程脉冲施加到所述第一慢速存储器单元，所述第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于所述第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。
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