[发明专利]电阻性组件的结构及制作方法有效
| 申请号： | 201711431175.8 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962160B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 黄志仁 | 申请（专利权）人： | 珠海兴芯存储科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电阻性组件的结构，连接于一第一导体与一第二导体，该电阻性组件包括：一第一穿透洞，位于该第一导体上方；一第一障壁层，接触于该第一穿透洞内表面以及该第一导体；一可变电阻层，位于该第一穿透洞内并覆盖于该第一障壁层；一第二障壁层，位于该第一穿透洞内并覆盖于该可变电阻层；一导电插塞，覆盖于该第二障壁层并填满该第一穿透洞；一第二穿透洞，位于该导电插塞上方；以及一第三障壁层，接触于该第二穿透洞内表面以及该导电插塞；其中，该第二导体位于该第二穿透洞内，并接触于该第三障壁层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 组件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻性组件的结构，其特征在于，连接于一第一导体与一第二导体，该电阻性组件的结构包括：一第一穿透洞，位于该第一导体上方；一第一障壁层，接触于该第一穿透洞内表面以及该第一导体；一可变电阻层，位于该第一穿透洞内并覆盖于该第一障壁层；一第二障壁层，位于该第一穿透洞内并覆盖于该可变电阻层；一导电插塞，覆盖于该第二障壁层并填满该第一穿透洞；一第二穿透洞，位于该导电插塞上方；以及一第三障壁层，接触于该第二穿透洞内表面以及该导电插塞；其中，该第二导体位于该第二穿透洞内，并接触于该第三障壁层。
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