[发明专利]半导体装置和过电流保护装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置和过电流保护装置。本发明的目的是抑制包括双向半导体开关的整个电路的导通电阻增加。该半导体装置包括通过共享漏电极而彼此反向串联耦合的垂直结构的第一主MOS晶体管和第二主MOS晶体管以及通过共享漏电极而彼此反向串联耦合的垂直结构的第一感测MOS晶体管和第二感测MOS晶体管。第一感测MOS晶体管用于检测第一主MOS晶体管的主电流，并且第二感测MOS晶体管用于检测第二主MOS晶体管的主电流。

主权项

1.一种半导体装置，包括：衬底；第一主MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，所述第一主MOSFET包括形成在所述衬底的主表面侧的第一源电极和形成在所述衬底的背表面侧的第一漏电极；第二主MOSFET，所述第二主MOSFET具有形成在所述衬底的所述主表面侧的第二源电极并且与所述第一主MOSFET共享所述第一漏电极；第一感测MOSFET，所述第一感测MOSFET包括形成在所述衬底的所述主表面侧的第一感测电极和形成在所述衬底的所述背表面侧的第二漏电极，并且检测在所述第一主MOSFET中流动的主电流；第二感测MOSFET，所述第二感测MOSFET具有形成在所述衬底的所述主表面侧的第二感测电极，与所述第一感测MOSFET共享所述第二漏电极，并且检测在所述第二主MOSFET中流动的主电流；第一栅极焊盘，所述第一栅极焊盘电耦合到所述第一主MOSFET的栅电极和所述第一感测MOSFET的栅电极，并且形成在所述衬底的所述主表面侧，以及第二栅极焊盘，所述第二栅极焊盘电耦合到所述第二主MOSFET的栅电极和所述第二感测MOSFET的栅电极，并且形成在所述衬底的所述主表面侧。