[发明专利]适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件及制作方法

摘要

本发明公开一种适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，包括栅极底座、阴极底座、陶瓷垫片、冷阴极、栅网和刻有凹槽的栅极法兰，阴极底座固定于栅极底座上，且二者之间设有陶瓷垫片绝缘；冷阴极由导电银浆和场发射材料丝印于阴极底座上而形成；栅极法兰固定于栅极底座上，而栅网点焊在栅极法兰的凹槽内。本发明还公开一种阴栅极组件的制作方法，将阴极底座装配在栅极底座上，栅极底座和阴极底座通过陶瓷垫片绝缘；在室温下采用丝印法先后将导电银浆和场发射材料转移到阴极底座上制成冷阴极；将栅网点焊在栅极法兰的凹槽内后，将栅极法兰和栅极底座通过螺丝固定。此种技术方案可直接使用丝印工艺制备阴极发射材料，同时保证装配精度。 1

主权项

1.一种适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，其特征在于：包括栅极底座、阴极底座、陶瓷垫片、冷阴极、栅网和刻有凹槽的栅极法兰，其中，阴极底座固定于栅极底座上，且二者之间设有陶瓷垫片绝缘；冷阴极由导电银浆和场发射材料丝印于阴极底座上而形成；栅极法兰固定于栅极底座上，而栅网点焊在栅极法兰的凹槽内。

2.如权利要求1所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，其特征在于：所述栅极底座、阴极底座和栅极法兰均为适用于真空的同质金属件，所述栅网由不锈钢或钼加工制成。

3.如权利要求1所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，其特征在于：所述冷阴极厚度为10～30微米，直径小于1毫米。

4.如权利要求1所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，其特征在于：所述栅网厚度为50微米。

5.如权利要求1所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，其特征在于：所述栅极法兰的凹槽深度为0.3～0.5毫米。

6.一种适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件的制作方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1，将阴极底座装配在栅极底座上，栅极底座和阴极底座通过陶瓷垫片绝缘；

步骤2，在室温下采用丝印法先后将导电银浆和场发射材料转移到阴极底座上制成冷阴极；

步骤3，将栅网点焊在栅极法兰的凹槽内后，将栅极法兰和栅极底座通过螺丝固定。

7.如权利要求6所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件的制作方法，其特征在于：所述步骤1中，阴极底座通过螺丝装配在栅极底座上，螺丝与栅极底座间用陶瓷片绝缘。

8.如权利要求6所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件的制作方法，其特征在于：所述步骤1中，要求阴极底座与栅极底座表面高度一致。

9.如权利要求6所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件的制作方法，其特征在于所述步骤2的详细内容是：将导电银浆丝印到阴极底座上，在大气环境中经250℃烘烤1小时后形成银过渡层后，再在过渡层上丝印具有一定几何形状的场发射浆料，并在大气环境中250℃烘烤1小时和400℃烧结0.5～1小时，制成场发射冷阴极。

10.如权利要求6所述的适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件的制作方法，其特征在于：所述步骤2中，场发射材料采用碳纳米管、纳米氧化锌和碳纤维中的一种或多种的混合物。