[发明专利]一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件有效
| 申请号： | 201711433356.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108122990B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陆江;刘海南;卜建辉;蔡小五;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；其中，所述器件还包括：N型空穴阻挡层，所述N型空穴阻挡层设置在所述N+源极的下方，阻挡空穴载流子流动。解决了现有技术中改善抗单粒子能力的方法存在应用局限性较大，并且工艺实施困难的技术问题，达到了改善传统结构的空穴流动路径，大幅度减少在寄生电阻区域流过的空穴电流，从而有效的压制了寄生晶体管的开启，增强了器件抗单粒子能力的可靠性的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 粒子 能力 加固 槽型栅 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种增强抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，其特征在于，所述器件包括：N+源极接触，所述N+源极接触为深槽结构；Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；其中，所述器件还包括：N型空穴阻挡层，所述N型空穴阻挡层设置在所述N+源极的下方，阻挡空穴载流子流动。
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