[发明专利]一种薄膜与QLED器件有效
| 申请号： | 201711433458.6 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109962168B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;程陆玲 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/44 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜与QLED器件，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种主体高分子材料，所述主体高分子材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比，本发明薄膜中含有量子点与高分子材料，利用高分子材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离，从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭，达到薄膜中量子点发光量子产率的提升。利用这种具有高发光量子产率的薄膜到QLED器件中，就能实现高效率的QLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料由一种阻隔高分子材料和一种电荷传输调节高分子材料组成；所述阻隔高分子材料为TFB；所述电荷传输调节高分子材料为PMMA。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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