[发明专利]一种具有空气桥参比电极遮光结构的传感器芯片及制备方法在审
申请号: | 201711434368.9 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN108120752A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 张佰君;邢洁莹;黄德佳 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/26 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈伟斌 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及生命科学半导体芯片的技术领域,更具体地,涉及一种具有空气桥参比电极遮光结构的传感器芯片及制备方法。本发明集成了传感器、具有遮光效果的空气桥形式的参比电极。器件芯片能探测液体生物信号,操作方便,遮光的参比电极能避免半导体传感器由于光照产生光生载流子对器件产生干扰信号,且避免额外的遮光封装结构。本发明具有尺寸小、测试精度高、稳定性好、损耗低、重复性好等特点,能对需要稳定测量的环境进行离子及生物分子的测量,排除光照对器件和样品产生的影响,稳定参比电极对溶液的控制。 | ||
搜索关键词: | 参比电极 空气桥 传感器芯片 遮光结构 遮光 制备 光照 半导体传感器 半导体芯片 光生载流子 发明集成 封装结构 干扰信号 器件芯片 生命科学 生物分子 稳定测量 液体生物 遮光效果 传感器 离子 探测 测量 测试 | ||
【主权项】:
一种具有空气桥参比电极遮光结构的传感器芯片,其特征在于,由下往上依次包括衬底(1)、成核层及应力缓冲层(2)、GaN层(3)、AlGaN层(4);所述至少GaN层(3)以上形成凸台,GaN层和AlGaN层形成在凸台上,所述AlGaN层上形成有源电极金属和漏电极金属(5),所述凸台以下设有长引线(6)及多个Pad(7),所述源电极金属、漏电极金属(5)皆与对应的Pad区域(7)电连接;所述源电极金属和漏电极金属(5)之间的传感区域形成敏感材料层(8);所述凸台以下沉积绝缘材料台(10),所述绝缘材料台高度高于所述凸台;厚金属材料跨在绝缘材料台上形成空气桥参比电极(9);所述传感器被绝缘材料(11)封装,露出溶液接触区及电接触区,溶液接触区覆盖部分参比电极(9)及所有传感区域。
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