[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、阵列基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：依次沉积本征半导体层、掺杂半导体层、第一金属层和铜金属层；应用第一次湿刻工艺，刻蚀去除第一区域之外的第一金属层和铜金属层；对铜金属层进行等离子体氧化处理，形成氧化保护膜；应用第一次干刻工艺，刻蚀去除第一区域之外的本征半导体层和掺杂半导体层，形成有源层；应用第二次湿刻工艺，刻蚀去除位于第二区域的第一金属层和铜金属层，形成相互间隔的源电极和漏电极；应用第二次干刻工艺，刻蚀去除第二区域中的掺杂半导体层。在进行第一次干刻工艺之前，在铜金属层的裸露侧壁形成氧化保护膜，防止第一次干刻工艺的刻蚀气体与铜金属层发生化学反应，提高由铜材料形成的源电极和漏电极的品质。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括在同一道光罩工艺中制备形成有源层、源电极和栅电极的步骤，该步骤包括：依次沉积形成本征半导体层、掺杂半导体层、第一金属层和铜金属层；应用第一次湿刻工艺，刻蚀去除第一区域之外的第一金属层和铜金属层；对所述铜金属层的裸露侧壁进行等离子体氧化处理，使所述铜金属层的裸露侧壁形成氧化保护膜；应用第一次干刻工艺，刻蚀去除第一区域之外的本征半导体层和掺杂半导体层，形成有源层；应用第二次湿刻工艺，刻蚀去除位于所述第一区域中的第二区域的第一金属层和铜金属层以及所述氧化保护层，形成相互间隔的源电极和漏电极；应用第二次干刻工艺，刻蚀去除所述第二区域中的掺杂半导体层，形成位于所述源电极和漏电极与所述有源层之间的欧姆接触层。