[发明专利]一种表面入射剂量计算方法、设备及存储介质有效
| 申请号： | 201711436101.3 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108074636B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 高建 | 申请（专利权）人： | 北京纳米维景科技有限公司 |
| 主分类号： | G16H30/00 | 分类号： | G16H30/00;G06F17/17 |
| 代理公司： | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人： | 陈曦;陈丽 |
| 地址： | 100094 北京市海淀区北清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面入射剂量计算方法，包括如下步骤：设置高压发生器的千伏值和毫安秒值，改变千伏值，获取距离球管焦点不同位置的入射剂量；根据N个距离球管焦点不同位置的入射剂量，得到N条距离球管焦点位置与入射剂量的第一拟合曲线；其中，N为正整数；假设高压发生器的毫安秒值固定，确定任意千伏值时的拟合系数，得到距离球管焦点位置与入射剂量的第二拟合曲线；根据高压发生器的毫安秒值与入射剂量的关系，得到任意千伏值、任意毫安秒值时距离球管焦点位置与入射剂量的第三拟合曲线；当进行影像检查时，将患者距离球管焦点的位置输入第三拟合曲线，得到X射线的入射剂量。该方法可防止入射剂量过辐射风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 入射 剂量 计算方法 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种表面入射剂量计算方法，其特征在于包括如下步骤：设置高压发生器的千伏值和毫安秒值，改变千伏值，获取距离球管焦点不同位置的入射剂量；根据N个距离球管焦点不同位置的入射剂量，得到N条距离球管焦点位置与入射剂量的第一拟合曲线；其中，N为正整数；假设高压发生器的毫安秒值固定，确定任意千伏值时的拟合系数，得到距离球管焦点位置与入射剂量的第二拟合曲线；根据高压发生器的毫安秒值与入射剂量的关系，得到任意千伏值、任意毫安秒值时距离球管焦点位置与入射剂量的第三拟合曲线；当进行影像检查时，将患者距离球管焦点的位置输入第三拟合曲线，得到X射线的入射剂量。
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