[发明专利]高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711436198.8 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108258050B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;曹震;杨鑫;谢丰耘;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/36;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar，HK)沟槽横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管(SJ‑LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在SJ‑LDMOS器件的漏端区域形成具有深沟槽的高K介质层，其上端与漏电极相连接，下端穿过超结漂移区以及缓冲层并深入到衬底上方的外延层。深沟槽的高K介质层与元素半导体材料衬底形成MIS电容结构，在器件关断时高K介质层上具有均匀的电场从而可以调制SJ‑LDMOS器件的体内的电场分布，降低了器件漏端的纵向高峰电场，解决了横向LDMOS器件随着器件漂移区长度击穿电压易饱和的问题，优化了器件击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 沟槽 横向 超结双 扩散 金属 氧化物 元素 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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