[发明专利]一种单片硅基发射器有效
| 申请号： | 201711437304.4 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108183390B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 冯朋;肖希;王磊;陈代高;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 张雯俐 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片硅基发射器，涉及硅光子与光电子集成领域。该发射器包括：一个集成到硅基平台的激光器；一个形成于硅波导端面的尖端模斑匹配器；一个作为MZI调制器输入端的硅波导双锥分束器，该硅波导双锥分束器与尖端模斑匹配器相连；两个分别形成于MZI调制器两臂上的热电极和/或两个分别形成于MZI调制器两臂上的高频电极；一个形成于MZI调制器输出端后面的MMI分束器，该MMI分束器分出有两个输出端口；以及一个形成于硅基平台，且与MMI分束器其中一个输出端口连接的背光探测器。本发明不但实现了激光器与调制器在硅基平台单片集成，而且制作成本低、工艺简单、集成度高且利于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 分束器 发射器 硅基平台 调制器 硅波导 单片硅基 激光器 匹配器 两臂 模斑 双锥 输出端口连接 背光探测器 调制器输出 调制器输入 光电子集成 单片集成 高频电极 输出端口 集成度 热电极 光子 分出 制作 | ||
【主权项】：
1.一种单片硅基发射器，其特征在于，该发射器包括：一个集成到硅基平台的激光器；一个形成于硅波导端面的尖端模斑匹配器；一个作为MZI调制器输入端的硅波导双锥分束器，该硅波导双锥分束器与尖端模斑匹配器相连；两个分别形成于MZI调制器两臂上的热电极和/或两个分别形成于MZI调制器两臂上的高频电极；一个形成于MZI调制器输出端后面的MMI分束器，该MMI分束器分出有两个输出端口；以及一个形成于硅基平台，且与MMI分束器其中一个输出端口连接的背光探测器。
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