[发明专利]一种双极性大容量有机场效应晶体管存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种双极性大容量有机场效应晶体管存储器及制备方法，通过能带工程设计一系列的P型与N型有机半导体材料，通过溶液旋涂工艺构造一种类似于无机P‑N结的结构，解决了在同一晶圆上电子空穴湮灭的问题，从而实现电子空穴的双极性信息存储。同时较低的阈值电压为未来在提高集成度时降低功耗和发热实现信息存储的稳定。本发明旨在通过简单的溶液旋涂制备一种具有双极性捕获位点的混合纳米薄膜，实现大容量双极性存储。薄膜的制备在低温空气的环境进行有利于降低生产成本和大面积制备。

主权项

一种双极性大容量有机场效应晶体管存储器，其特征在于：采用底栅顶接触的器件结构，从上至下依次包括源漏电极(5)、半导体层(4)、电荷存储层(3)、栅绝缘层(2)、衬底(1)，所述电荷存储层(3)是由聚苯乙烯作为基质P型与N型半导体材料作为捕获位点，然后通过溶剂蒸而发生相分离构造一种类无机半导体P‑N结；下部分还包括形成于衬底(1)上的栅电极。