[发明专利]切割硅粉渣制备高纯硅的方法及装置在审
| 申请号： | 201711439190.7 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108059167A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 王志;钱国余;王东;公旭中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种切割硅粉渣制备高纯硅的方法及装置，该方法包括以下步骤：将切割硅粉原料压制成块状硅料；将渣剂、辅料硅块和块状硅料熔成混合高温熔体；将惰性气体吹入混合高温熔体中。该装置包括物料输送区、循环歧化反应区和熔炼精炼区，其中：循环歧化反应区可以控制反应中的一氧化硅和碳化硅反应生成单质硅，进一步精制得到所述高纯硅，从而提高硅的收得率。本发明的切割硅粉渣制备高纯硅的方法及装置，能够实现切割硅粉的快速熔化，可以实现高的硅液纯净度以及高的纯净硅收得率，并且很好的解决了常规熔化过程中切割硅粉熔化速率慢，且熔化过程炉壁结壳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 硅粉渣 制备 高纯 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种切割硅粉渣制备高纯硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将切割硅粉原料压制成块状硅料；(2)将渣剂、辅料硅块和块状硅料熔成混合高温熔体；(3)将惰性气体吹入混合高温熔体中。
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