[发明专利]一种阵列基板及制备方法有效
申请号: | 201711439798.X | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN108122932B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 吴伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板,包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括基板、第一栅极、第一绝缘层、有源层、源极、漏极、第二绝缘层、第三绝缘层、第二栅极;第一栅极设置于基板上,第一绝缘层设置于第一栅极上并延伸至基板上,有源层设置于第一绝缘层上,有源层与第一栅极重叠,设置于有源层上相对两端的源极和漏极与有源层形成一沟道区,第二绝缘层、第三绝缘层和第二栅极依次设置于沟道区内,第一栅极、第三绝缘层与第二栅极的正投影重合,第二绝缘层的边缘与源极和漏极之间的距离小于第三绝缘层的边缘与源极和漏极之间的距离。利用本发明提供的薄膜晶体管,不仅可以有效地阻止寄生电容的产生,还可以防止电阻的产生,极大地提高了薄膜晶体管的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括基板、第一栅极、第一绝缘层、有源层、源极、漏极、第二绝缘层、第三绝缘层、第二栅极;所述第一栅极设置于所述基板上,所述第一绝缘层设置于所述第一栅极上并延伸至所述基板上,所述有源层设置于所述第一绝缘层上,所述有源层与所述第一栅极重叠,设置于所述有源层上相对两端的所述源极和所述漏极与所述有源层形成一沟道区,所述第二绝缘层、所述第三绝缘层和所述第二栅极依次设置于所述沟道区内,所述第一栅极、所述第三绝缘层与所述第二栅极的正投影重合,所述第二绝缘层的边缘与所述源极和所述漏极之间的距离小于所述第三绝缘层的边缘与所述源极和所述漏极之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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