[发明专利]一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体（110）的正面设有钝化层（101）并嵌有金属焊盘（102），在硅基本体（110）正面覆盖正面保护层（200），在金属焊盘（102）处形成正面保护层金属焊盘开口（202），在正面保护层金属焊盘开口（202）内设置金属凸块（300），硅基本体（110）的四个侧壁兼有高低起伏的纹路，用填充料包覆金属凸块（300）、正面保护层（200）的裸露面以及硅基本体（110）的侧壁，形成包封层（500），所述金属凸块（300）的上表面露出包封层（500），硅基本体（110）的背面贴上背胶膜形成背面保护层（600）。提供了一种有效保护芯片的方案。

主权项

一种晶圆级芯片封装方法，其实施步骤如下：步骤一、提供硅基晶圆，其正面有钝化层并嵌有金属焊盘，在金属焊盘处设有钝化层开口露出部分金属焊盘的上表面，并设有切割道；步骤二、在硅基晶圆正面覆盖正面保护层，在金属焊盘处形成正面保护层金属焊盘开口，正面保护层金属焊盘开口小于金属焊盘钝化层开口；在切割道处形成正面保护层切割道开口，正面保护层切割道开口的宽度小于切割道的宽度，正面保护层覆盖住切割道侧壁；步骤三、正面保护层金属焊盘开口内依次通过溅射、光刻、电镀方式形成金属凸块；步骤四、通过干法刻蚀方法在正面保护层切割道开口处形成沟槽，并且其侧壁有高低起伏的纹路，所述沟槽宽度大于正面保护层切割道开口宽度且小于切割道宽度；步骤五、将硅基晶圆进行等离子清洗，用填充料通过层压方式填充沟槽，并包覆金属凸块；步骤六、在硅基晶圆正面通过研磨工艺将金属凸块露出；步骤七、硅基晶圆背面进行研磨减薄，减薄程度根据实际情况确定；步骤八、通过背胶工艺在硅基晶圆的裸硅面贴上背胶膜形成背面保护层以保护硅基晶圆的背面；步骤九、采用激光或刀片方式，在填充保护层的沟槽内沿切割道进行切割形成单颗晶圆级芯片封装结构。