[发明专利]一种保护层形态变化式碳化硅制备方法

摘要

本发明公开了一种保护层形态变化式碳化硅制备方法，本发明通过在碳源和硅源混合物的上面均匀洒上聚四氟乙烯粉料，加热炉加热后，聚四氟乙烯粉料随着加热温度的升高达到费点逐步气化，使碳源和硅源混合物在气态聚四氟乙烯的环境中进行高温反应，碳源和硅源混合物在气态的聚四氟乙烯包围下进行反应，气态的聚四氟乙烯使得反应得到了保护层，高温反应完毕以后停止加热，加热炉内部进行散热降温，聚四氟乙烯由气态开始逐步变为液态最终呈现固态并且均匀嵌入在碳化硅内部和表面上；本发明制备方法巧妙简单，不仅做到了反应过程中的保护，更加做到了反应完成后的保护，而且加入的聚四氟乙烯量可以得到精确的控制。

主权项

1.一种保护层形态变化式碳化硅制备方法，其特征在于，步骤如下：S1、将碳源和硅源送入到破碎机中进行破碎，使碳源和硅源呈颗粒状结构；S2、将呈颗粒状结构的碳源和硅源进行充分混合，使碳源和硅源混合均匀；S3、将混合均匀的碳源和硅源进行平铺在加热炉内，然后在碳源和硅源混合物的上面均匀洒上聚四氟乙烯粉料；S4、加热炉开始加热，聚四氟乙烯粉料随着加热温度的升高达到费点逐步气化，使碳源和硅源混合物在气态聚四氟乙烯的环境中进行高温反应，生成碳化硅；S5、高温反应完毕以后停止加热，使加热炉内部进行散热降温，聚四氟乙烯由气态开始逐步变为液态最终呈现固态并且均匀嵌入在碳化硅内部和表面上。