[发明专利]提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT有效
| 申请号： | 201711442489.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107994073B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杨珏林;姜梅;许生根;杨晓鸾 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本发明结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 抗闩锁 能力 低通态压降 igbt | ||
【主权项】：
一种提升抗闩锁能力的低通态压降IGBT，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电6类型漂移区内上部的第二导电类型基区；所述元胞区包括若干元胞沟槽，所述元胞沟槽位于第二导电类型基区内，且元胞沟槽的深度伸入第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；在相邻元胞沟槽间的第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽的侧壁接触，元胞沟槽内设置沟槽栅结构；在第一导电类型漂移区上设置发射极结构；其特征是：在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。
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