[发明专利]一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器

摘要

本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料，且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中，Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层，实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层，缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏，提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元，有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途，弥补其在存储器应用领域的空白，利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。

主权项

1.一种非易失性存储器单元，包括：氮化物晶体管；设置于所述氮化物晶体管上的氮化物金属-绝缘层-半导体忆阻器，所述氮化物金属-绝缘层-半导体忆阻器包括：Si掺杂的GaN材料台面(5)，所述Si掺杂的GaN材料台面(5)附着于所述氮化物晶体管的AlGaN材料台面(4)上；附着于所述Si掺杂的GaN材料台面(5)上的AlN材料台面(6)；附着于所述AlN材料台面(6)上的Si3N4材料台面(7)；设置于所述Si3N4材料台面(7)上的金属电极(8)；漏极(11)，所述漏极(11)的一端与Si掺杂的GaN材料台面(5)接触；所述漏极(11)的另一端与所述氮化物晶体管的GaN材料层(3)接触。