[发明专利]具有浮空P岛的沟槽型二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711442524.6 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108183134A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 伍济;姜梅;许生根;杨晓鸾 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有浮空P岛的沟槽型二极管及其制备方法，其在所述N型外延层内还设置在反向阻断时用于形成空间电荷区的浮空P岛，所述浮空P岛包括在N型外延层内的P型第一区以及P型第二区，P型第一区在N型外延层内呈竖向分布，P型第一区的下部与P型第二区接触，P型第一区的上部位于支撑连接体内，P型第一区的横向宽度小于支撑连接体的横向宽度，P型第二区位于沟槽阳极结构的下方，且P型第二区的横向宽度大于支撑连接体的横向宽度。本发明结构紧凑，能获得同等电流密度下更低的正向导通压降，提高器件在高温下的可靠性，制备工艺与现有工艺兼容，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 第一区 浮空 沟槽型二极管 支撑连接体 制备 正向导通压降 空间电荷区 反向阻断 工艺兼容 竖向分布 阳极结构 支撑连接 制备工艺 体内 | ||
【主权项】：
1.一种具有浮空P岛的沟槽型二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底(5)以及邻接所述N型衬底(5)的N型外延层(4)，所述N型外延层(4)位于N型衬底(5)的正上方；在所述N型外延层(4)的上部设置沟槽阳极结构，所述沟槽阳极结构包括设置于N型外延层(4)上部的沟槽(9)、通过沟槽(9)形成于N型外延层(4)上部的支撑连接体(11)以及与所述支撑连接体(11)欧姆接触的阳极金属层(1)；在N型衬底(5)的背面设置与所述N型衬底(5)欧姆接触的阴极金属层(6)；其特征是：在所述N型外延层(4)内还设置在反向阻断时用于形成空间电荷区的浮空P岛，所述浮空P岛包括在N型外延层(4)内的P型第一区(3)以及P型第二区(7)，P型第一区(3)在N型外延层(4)内呈竖向分布，P型第一区(3)的下部与P型第二区(7)接触，P型第一区(3)的上部位于支撑连接体(11)内，P型第一区(3)的横向宽度小于支撑连接体(11)的横向宽度，P型第二区(7)位于沟槽阳极结构的下方，且P型第二区(7)的横向宽度大于支撑连接体(11)的横向宽度。
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