[发明专利]一种用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物

摘要

本发明涉及环氧树脂组合物，特别涉及适用于半导体封装用的聚氨酯改性环氧树脂组合物。本发明通过将环氧树脂使用聚氨酯改性，将改性后的环氧树脂与酚醛树脂搭配，得到一种半导体封装用的聚氨酯改性环氧树脂组合物，大幅降低了环氧树脂组合物的模量，同时又能够提高了环氧树脂组合物在半导体封装的工艺性和耐焊性，特别是提高了环氧树脂组合物的在半导体封装的可靠性。本发明的半导体封装用的聚氨酯改性环氧树脂组合物同时还具备了必要的流动性、填充性、阻燃性。 1

主权项

1.一种用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于，

所述的聚氨酯改性环氧结构如下：

其中，

n为1‑10；

R表示：C_nH_(2n+2‑x)(OH)_x，此处n为2‑6，x为2‑4，

所述的聚氨酯改性环氧树脂组合物的组分及含量为：

2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的环氧树脂选自邻甲酚醛环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、线性酚醛环氧树脂、联苯型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、开链脂肪族环氧树脂、脂环族环氧树脂和杂环型环氧树脂中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的无机填料选自二氧化硅粉末、氧化铝粉末、氮化硅粉末和氮化铝粉末中的一种或几种，所述的二氧化硅粉末、氧化铝粉末、氮化硅粉末和氮化铝粉末的中位径都为10～40微米。

4.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的阻燃剂为溴代环氧树脂与三氧化二锑配合的阻燃剂，其中，溴代环氧树脂与三氧化二锑的重量比为10：1；所述的阻燃剂在聚氨酯改性环氧树脂组合物中的重量百分含量为1.5％。

5.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的固化促进剂选自咪唑化合物、叔胺化合物和有机膦化合物中的一种或几种，所述的固化促进剂在聚氨酯改性环氧树脂组合物中的重量百分含量为0.05％。

6.根据权利要求5所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：

所述的咪唑化合物选自2‑甲基咪唑、2,4‑二甲基咪唑、2‑乙基‑4‑甲基咪唑、2‑苯基咪唑、2‑苯基‑4‑甲基咪唑和2‑(十七烷基)咪唑中的一种或几种；

所述的叔胺化合物选自三乙胺卞基二甲胺、α‑甲基卞基二甲胺、2‑(二甲胺基甲基)苯酚、2,4,6‑三(二甲胺基甲基)苯酚和1，8‑二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯‑7中的一种或几种；

所述的有机膦化合物选自三苯基膦、三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三(对甲基苯基)膦和三(壬基苯基)膦中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：

所述的脱模剂选自巴西棕榈蜡、合成蜡和矿物质蜡中的一种或几种；所述的脱模剂在聚氨酯改性环氧树脂组合物中的重量百分含量为0.5％；

所述的硅烷偶联剂选自γ‑环氧丙基丙基醚三甲氧基硅烷、γ‑氨基丙基三乙氧基硅烷、γ‑巯基丙基三甲氧基硅烷和γ‑氨丙基三甲氧基硅烷中的一种或几种；所述的硅烷偶联剂在聚氨酯改性环氧树脂组合物中的重量百分含量为0.5％；

所述的着色剂为炭黑；所述的着色剂在聚氨酯改性环氧树脂组合物中的重量百分含量为0.5％；

所述的无机离子捕捉剂选自水合金属氧化物、酸性金属盐及铝镁的化合物中的一种或几种；所述的无机离子捕捉剂在聚氨酯改性环氧树脂组合物中的重量百分含量为0.45％。

8.根据权利要求7所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的水合金属氧化物是Bi₂O₃·3H₂O，所述的酸性金属盐是Zr(HPO₄)₂·H₂O，所述的铝镁的化合物是Mg₆Al₂(CO₃)(OH)₁₆·4H₂O。

9.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的酸酐选自芳香族酸酐、脂环族酸酐、长链脂肪族酸酐、卤代酸酐机酸酐加成物中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的用于半导体封装的聚氨酯改性环氧树脂组合物，其特征在于：所述的R为聚乙二醇或聚环氧丙烷中的一种或几种。