[发明专利]具有动态允许位写入逻辑的存储器及方法有效

专利信息
申请号: 201711443101.6 申请日: 2017-12-27
公开(公告)号: CN108962314B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 洪俊雄;陈嘉荣 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 在包括多条位线且具有N个用以平行连接多条位线的所选的一组N条位线的写入驱动器的存储器阵列中,写入逻辑耦接于这些写入驱动器,以在一写入操作中平行施加一写入脉冲。写入逻辑在写入程序中能动态地分配多个允许数量给多个循环,其中允许数量少于N。一例如是电荷泵浦电路的功率源耦接于这些写入驱动器,功率源能够在系统施加允许位写入逻辑中更有效率地使用,且产生高吞吐量或实现低峰值功率。
搜索关键词: 具有 动态 允许 写入 逻辑 存储器 方法
【主权项】:
1.一种存储器装置,包括:一存储器阵列,包括多条位线;以及N个写入驱动器,配置成与该些位线中所选的一组N条位线平行连接;以及一写入逻辑(write logic),耦接于该些写入驱动器且用以执行迭代的一写入程序(iterative write sequence),该写入程序包括由该些写入驱动器所施加的数个脉冲(pulse),该写入逻辑在该写入程序中一次致能一少于N的一允许数量的脉冲,且在该写入程序中多次分配不同的允许数量以致能不同的脉冲。
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